本书分为五章。第一章概述半导体产业的宏观态势, 介绍晶体管技术的演进历程与未来挑战, 为读者构建完整的认知背景。第二、第三章是本书的核心分析部分, 聚焦FinFET、GAAFET、CFET 这三代主流的先进晶体管架构, 运用详尽的专利数据, 深度剖析全球范围内的专利布局现状与重点技术发展路径。第四章从宏观分析转向微观实战, 通过解析半导体领域经典诉讼案例, 揭示专利战实貌, 深入探讨领先企业的专利保护模式, 提供构建知识产权防御体系的思路。第五章基于前述所有分析, 尝试为我国先进晶体管技术的高质量发展与专利风险应对提出具有建设性的策略建议。本书可以为晶体管行业科研工作者、专利管理人员提供启示和借鉴。

目录
第1 章 概述… 001
1. 1 研究背景… 001
1. 1. 1 我国助力半导体产业发展政策… 002
1. 1. 2 外国对我国半导体产业的遏制… 007
1. 2 晶体管技术概况… 009
1. 2. 1 晶体管技术的诞生及分类… 009
1. 2. 2 晶体管技术的原理及发展… 012
1. 2. 3 晶体管技术的应用及前景… 015
1. 2. 4 晶体管技术的行业发展现状… 018
1. 2. 5 晶体管技术面临的挑战… 019
1. 3 研究内容及技术解析… 021
1. 3. 1 研究内容… 021
1. 3. 2 数据检索及分析系统… 022
1. 3. 3 先进晶体管技术分解… 022
1. 3. 4 相关术语解释说明… 028
第2 章 先进晶体管专利布局现状… 031
2. 1 FinFET 的专利布局现状… 031
2. 1. 1 专利申请趋势… 031
2. 1. 2 专利申请区域分布分析… 039
2. 1. 3 申请人分析… 042
2. 1. 4 有效专利情况分析… 043
2. 1. 5 小结… 045
2. 2 GAAFET 的专利布局现状… 047
2. 2. 1 专利申请趋势… 047
2. 2. 2 专利申请区域分布分析… 052
2. 2. 3 申请人分析… 056
2. 2. 4 有效专利情况分析… 058
2. 2. 5 小结… 060
2. 3 CFET 的专利布局现状… 061
2. 3. 1 专利申请趋势… 061
2. 3. 2 专利申请区域分布分析… 066
2. 3. 3 申请人分析… 068
2. 3. 4 有效专利情况分析… 071
2. 3. 5 小结… 072
2. 4 本章小结… 073
第3 章 先进晶体管的重点技术分析… 075
3. 1 FinFET 的重点技术分析… 075
3. 1. 1 技术分支专利占比分析… 075
3. 1. 2 各技术分支技术路线分析… 076
3. 1. 3 重点申请人技术布局动向… 095
3. 1. 4 小结… 124
3. 2 GAAFET 的重点技术分析… 124
3. 2. 1 技术分支专利占比分析… 125
3. 2. 2 各技术分支技术路线分析… 127
3. 2. 3 重点申请人技术布局动向… 135
3. 2. 4 小结… 183
3. 3 CFET 的重点技术分析… 184
3. 3. 1 技术分支专利占比分析… 185
3. 3. 2 各技术分支技术路线分析… 187
3. 3. 3 重点申请人技术布局动向… 191
3. 3. 4 小结… 206
3. 4 本章小结… 207
第4 章 先进晶体管的专利保护… 209
4. 1 先进晶体管典型诉讼案例分析… 209
4. 1. 1 格罗方德诉台积电… 209
006 | 先进晶体管技术发展及专利保护
4. 1. 2 台积电诉格罗方德… 215
4. 1. 3 Auriga 诉英特尔、惠普… 220
4. 1. 4 AICP 诉台积电… 223
4. 1. 5 中科院微电子所诉英特尔… 226
4. 1. 6 KAIST 诉三星… 230
4. 1. 7 小结… 234
4. 2 重点申请人专利保护模式分析… 235
4. 2. 1 先进晶体管技术的权利要求保护方式… 235
4. 2. 2 先进晶体管技术的专利布局模式… 240
4. 2. 3 小结… 247
4. 3 本章小结… 248
第5 章 先进晶体管的发展建议… 249
5. 1 突破制程技术, 构建自主体系… 249
5. 2 布局新型材料, 抢占技术先机… 250
5. 3 强化国产配套, 打通产业堵点… 250
5. 4 优化专利布局, 筑牢技术防线… 251
5. 5 深化政企协同, 打造创新生态… 251

在全球半导体技术迅猛发展的浪潮中, 晶体管作为核心元件, 其性能的提升与技术的革新始终是推动行业进步的关键。当前, 我国半导体产业既面临政策扶持的发展机遇, 也承受着外部技术遏制的巨大压力, 而市场上系统结合技术演进与专利战略的专著较为少见, 本书编写团队都是多年来从事半导体领域专利审查工作的审查员。本书摒弃了传统技术书籍的单一视角, 以“全球专利数据” 为核心线索, 从技术解析、专利布局、发展建议等多个维度搭建知识框架, 旨在为读者提供一个兼具战略高度与实践价值的参考工具, 以期为我国先进晶体管技术发展及专利保护尽微薄之力。全书分为五章。第一章概述半导体产业的宏观态势, 介绍了晶体管技术的演进历程与未来挑战, 为读者构建完整的认知背景。第二、第三章是本书的核心分析部分,聚焦FinFET、GAAFET、CFET 这三代核心的先进晶体管架构, 运用详尽的专利数据,深度剖析全球范围内的专利布局现状与重点技术发展路径。第四章从宏观分析转向微观实战, 通过解析半导体领域经典诉讼案例, 揭示专利战实貌, 深入探讨领先企业的专利保护模式, 提供构建知识产权防御体系的思路。第五章, 作者基于前述所有分析,尝试为我国先进晶体管技术的高质量发展与专利风险应对提出具有建设性的策略和建议。本书采用的专利文献数据来自INCOPAT 专利数据库, 还利用了部分其他专利数据库进行数据印证, 通过初步检索、扩展检索和重点申请人补充检索等, 以保证数据检索的全面。
本书由刘振玲、张思秘、陆然、吴冰和刘秀艳五位作者合作编写完成。其中张思秘编写了第1 章的1. 1 节、第3 章的3. 3 节至3. 4 节和第4 章的4. 1. 1 节至4. 1. 3 节;吴冰编写了第1 章的1. 2 节至1. 3 节和第5 章; 刘振玲编写了第2 章的2. 1 节和第3 章的3. 1 节; 陆然编写了第2 章的2. 2 节至2. 4 节和第3 章的3. 2 节, 刘秀艳编写了第4章的4. 1. 4 节至4. 1. 7 节、4. 2 节和4. 3 节。编写时参考了国内外有关晶体管技术方面的文献资料, 谨向其作者表示感谢。