玻璃基板以其高绝缘性、高热稳定性及低介电损耗等优势，成为支撑下一代大算力芯片封装的关键。玻璃通孔作为玻璃基板实现高密度三维互连的核心技术，为芯片封装提供了新的解决方案，能够有效满足高性能芯片对高频、高速、低损耗及大尺寸高密度集成的需求。本书系统梳理了玻璃通孔技术从基础材料到封装应用的全链路知识体系。

目录
第1章绪论
1.1半导体技术发展现状
1.1.1技术演进： 从晶体管到纳米时代
1.1.2人工智能的兴起与半导体产业的变革
1.2先进封装技术发展
1.2.1封装的技术演进
1.2.2先进封装的前沿技术
1.2.3人工智能对封装技术的要求
1.3玻璃通孔技术和玻璃基板技术的发展
参考文献
第2章玻璃的制造与特性
2.1引言
2.2玻璃的历史演变
2.3玻璃的结构
2.4传统玻璃制造和加工工艺
2.5面向芯片集成的先进玻璃技术
2.5.1晶圆级玻璃
2.5.2微晶玻璃
2.5.3新型陶瓷玻璃
2.6玻璃的典型特性及集成电路领域应用
2.6.1玻璃的机械特性应用
2.6.2玻璃的电学特性应用
2.6.3玻璃的光学特性应用
2.6.4玻璃的其他特性与总结
参考文献
第3章玻璃的电学特性
3.1玻璃基板传输性能研究
3.1.1玻璃衬底测试结构设计
3.1.2微波传输线设计
3.1.3TGV测试结构设计
3.1.4测试结果分析
3.2熔融石英玻璃衬底接地共面波导性能测试
3.3本章小结
参考文献
第4章玻璃通孔加工技术
4.1玻璃钻孔工艺研究现状
4.2激光诱导刻蚀法
4.2.1超快激光诱导刻蚀技术相互作用机理
4.2.2激光参数对玻璃通孔孔型的影响
4.2.3湿法刻蚀原理及作用规律
参考文献
第5章玻璃通孔填充技术
5.1电镀铜填充技术
5.1.1铜种子层沉积方法
5.1.2TGV电镀填充方法与机理
5.1.3TGV电镀配方研究进展
5.2导电浆料填充技术
参考文献
第6章玻璃表面布线技术
6.1表面布线技术
6.1.1半加成法加工工艺
6.1.2大马士革加工工艺
6.2高密度桥连技术
6.2.1桥连基本结构及工艺
6.2.2桥连技术的发展应用
6.3RDL制程误差对传输特性的影响
6.3.1RDL宽度对传输线特性的影响
6.3.2RDL厚度对传输线特性的影响
6.3.3RDL粗糙度对传输线特性的影响
6.4本章小结
参考文献
第7章玻璃基板技术
7.1玻璃基板结构及工艺
7.2玻璃基板的热机械可靠性
7.2.1玻璃芯断裂
7.2.2玻璃芯开裂的优化研究
7.2.3TGV间相互作用对可靠性的影响
7.2.4板级和晶圆封装级玻璃基板可靠性
7.3TGV的热机械可靠性
7.3.1TGV可靠性测试
7.3.2TGV中的铜线故障
7.3.3铜的非线性特性
7.3.4TGV有限元分析
7.4本章小结
参考文献
第8章玻璃转接板技术
8.1TGV转接板的结构与特点
8.2TGV转接板技术发展与应用
8.3TGV转接板电性能分析
8.3.1TGV的传输特性研究
8.3.2TGV的信号完整性研究
8.3.3TGV的电源完整性研究
8.4TGV转接板封装流程
8.4.1玻璃成孔及填实工艺
8.4.2RDL堆叠制程
8.4.3塑封及减薄制程
8.4.4铜柱制程
8.4.5后道制程
8.5本章小结
参考文献
第9章玻璃基板埋入扇出技术
9.1制造流程
9.1.1盲槽及通槽制作
9.1.2芯片准备
9.1.3芯片埋入及RDL制作
9.1.4散热器贴装
9.2关键技术
9.2.1盲槽底面平整化
9.2.23D金属化互连技术
9.3热可靠性分析
9.3.1电热耦合模型分析
9.3.2玻璃基热传导分析
9.3.3LC滤波器散热分析
9.4本章小结
参考文献
第10章玻璃衬底集成无源器件技术
10.1引言
10.2三维深沟去耦电容研究
10.2.1高密度深沟电容去耦电容设计原理
10.2.2深沟电容去嵌设计与寄生参数提取方法
10.2.3高电容密度深沟电容的加工工艺与测试结果分析
10.3高性能3D电感研究
10.3.1引言
10.3.2基于通孔的高深宽比TGV 3D电感设计
10.3.3基于通孔的3D电感制造工艺研究
10.3.4测试结果分析
10.3.5小结
10.4基于优化结构的低插入损耗集成无源滤波器设计
10.4.1滤波器概述
10.4.2无源滤波器设计
10.4.3工艺流程
10.4.4测试结果
10.4.5小结
参考文献
第11章玻璃基毫米波集成无源器件技术
11.1引言
11.2基片集成等离激元波导滤波器
11.3准椭圆函数响应基片集成波导滤波器
11.3.1基于TE202和TE401模式的四阶带通SIW滤波器
11.3.2基于TE101模和TE201模的微扰型双模SIW滤波器
11.4玻璃基封装天线
11.5本章小结
参考文献
第12章基于玻璃衬底的光电共封装技术
12.1引言
12.2光电共封装的发展现状
12.3基于玻璃转接板光电共封装的典型形式
12.3.12.5D封装
12.3.23D封装
12.4基于玻璃转接板光电共封装的技术
12.4.1玻璃波导制备技术
12.4.2飞秒激光波玻璃导
12.4.3离子交换玻璃波导
12.4.4光耦合技术
12.5本章小结
参考文献

先进芯片材料与后摩尔芯片技术丛书

“十四五”国家重点出版物出版规划项目

玻璃通孔技术

于大全钟毅喻甜著

内 容 简 介

玻璃基板以其高绝缘性、高热稳定性及低介电损耗等优势，成为支撑下一代大算力芯片封装的关键。玻璃通孔作为玻璃基板实现高密度三维互连的核心技术，为芯片封装提供了新的解决方案，能够有效满足高性能芯片对高频、高速、低损耗及大尺寸高密度集成的需求。本书系统梳理了玻璃通孔技术从基础材料到封装应用的全链路知识体系。在材料层面，重点介绍了玻璃的制造工艺、基本特性及其电学性能； 在关键工艺方面，阐述了玻璃通孔的加工、金属填充与表面布线技术； 在封装应用部分，涵盖了玻璃转接板、玻璃基埋入式扇出型封装、集成无源器件及光电共封装等前沿技术。

本书可作为集成电路封装与测试领域的工程技术参考书，也可作为高等院校相关专业的教学用书。

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图书在版编目 （CIP） 数据

玻璃通孔技术 / 于大全, 钟毅, 喻甜著.  北京 : 清华大学出版社, 2026. 1.

(先进芯片材料与后摩尔芯片技术丛书).  ISBN 9787302704263

Ⅰ. TN305.94

中国国家版本馆CIP数据核字第2025FK2702号

责任编辑： 鲁永芳

封面设计： 意匠文化·丁奔亮

责任校对： 赵丽敏

责任印制： 宋林

出版发行： 清华大学出版社

网址： https://www.tup.com.cn， https://www.wqxuetang.com

地址： 北京清华大学学研大厦A座
邮编： 100084

社总机： 01083470000邮购： 01062786544

投稿与读者服务： 01062776969, cservice@tup.tsinghua.edu.cn

质量反馈： 01062772015, zhiliang@tup.tsinghua.edu.cn

印装者： 三河市东方印刷有限公司

经销： 全国新华书店

开本： 170mm×230mm印张： 22.25〓〓 字数： 423千字

版次： 2026年1月第1版印次： 2026年1月第1次印刷

定价： 138.00元

产品编号： 11355701

丛书编委会

（按姓氏笔画排序）

名誉顾问：

干勇中国工程院院士，钢铁研究总院

陈良惠中国工程院院士，中国科学院半导体研究所

顾问：

刘明中国科学院院士，复旦大学

刘胜中国科学院院士，武汉大学

刘忠范中国科学院院士，北京大学

刘益春中国科学院院士，东北师范大学

江风益中国科学院院士，南昌大学

孙世刚中国科学院院士，厦门大学

杨德仁中国科学院院士，浙江大学

李树深中国科学院院士，中国科学院半导体研究所

吴汉明中国工程院院士，浙江大学

张锁江中国科学院院士，河南大学

陈小龙中国科学院院士，中国科学院物理研究所

罗毅中国工程院院士，清华大学

郑婉华中国科学院院士，中国科学院半导体研究所

郝跃中国科学院院士，西安电子科技大学

祝世宁中国科学院院士，南京大学

黄小卫中国工程院院士，中国有研科技集团

屠海令中国工程院院士，中国有研科技集团

彭寿中国工程院院士，中国建材集团

彭练矛中国科学院院士，北京大学

总主编：

周济中国工程院院士，清华大学

副总主编：

张跃中国科学院院士，北京科技大学

执行主编：

王琛清华大学

编委：

卜伟海北方集成电路技术创新中心

于大全厦门大学

于洪宇南方科技大学

万烨洛阳中硅高科技有限公司

王坚盛美半导体设备(上海)股份有限公司

王振东方晶源微电子科技有限公司

王开友中国科学院半导体研究所

王业亮北京理工大学

王传声中国电子科技集团第四十三研究所

王守祥中国电子科技集团芯片技术研究院

王欣然南京大学

王润声北京大学

王新强北京大学

牛新平拓荆科技股份有限公司

文永正清华大学

龙世兵中国科技大学

史小平北方华创科技集团股份有限公司

白鹏华虹半导体有限公司

边国栋北方华创科技集团股份有限公司

邢巍中国科学院长春应用化学研究所

吕俊鹏东南大学

朱健中国电子科技集团第五十五研究所

朱嘉琦哈尔滨工业大学

任文才中国科学院金属研究所

刘琦复旦大学

刘雷安徽大学

刘峰奇中国科学院半导体研究所

刘春俊北京天科合达半导体股份有限公司

许俊豪华为技术有限公司

孙东明中国科学院金属研究所

孙伟峰东南大学

孙竞博清华大学

麦立强武汉理工大学

杜祖亮河南大学

杨超中国科学院过程工程研究所

杨娟玉中国有研科技集团

李炜沪硅产业集团

李泠中国科学院微电子研究所

李晨中国电子科技集团

李璟浙江大学

肖湘衡武汉大学

吴华强清华大学

吴洪江中国电子科技集团产业基础研究院

何军武汉大学

狄增峰中国科学院上海微系统研究所

冷雨欣中国科学院上海光学精密机械研究所

汪玉清华大学

汪莱清华大学

沈国震北京理工大学

张卫复旦大学

张兵江苏艾森半导体材料有限公司

张凯中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

张铮北京科技大学

张立军吉林大学

张进成西安电子科技大学

张雪囡中环领先半导体科技股份有限公司

周鹏复旦大学

单崇新河南大学

宗艳民山东天岳先进科技股份有限公司

孟国文中国科学院合肥物质科学研究院

封伟天津大学

赵超北京超弦存储器研究院

倪振华东南大学

黄庆安东南大学

曹靖兰州大学

曹立强中国科学院微电子研究所

梁君飞中北大学

彭登峰深圳大学

葛广路中国科学院国家纳米科学中心

韩根全西安电子科技大学

焦斌斌西安交通大学

曾超中国工程物理研究院电子工程研究所

谢晓明中国科学院上海微系统研究所

蔡坚清华大学

蔡一茂北京大学

蔡树军中国电子科技集团第五十八研究所

廖蕾湖南大学

廖庆亮北京科技大学

谭平恒中国科学院半导体研究所

翟天佑华中科技大学

缪向水华中科技大学

黎大兵中国科学院长春精密光学机械与物理研究所

霍宗亮长江存储科技有限责任公司

丛书序

芯片行业支撑起的电子信息产业是当今信息时代和当前人工智能时代的产业基石，电子信息产业的发达与否在一定程度上决定了国家的综合竞争力和未来社会发展潜力。特别是，随着芯片技术在过去六十余年的指数级发展，产业被不断涌现的新一代材料、器件、集成、制造等技术协同推动，并引发了源源不绝的新兴应用创新，从底层技术上推动人类文明至新的高度。2024年全球半导体产值达到4万亿人民币，2035年预期达到10万亿，2049年有望突破60万亿。与此同时，芯片行业材料到制造的技术壁垒也越来越高，核心技术被少数半导体公司所掌控。我国目前相关技术与国外先进水平还有较大差距，而且面临核心材料受制于人、核心技术很难突破、专利壁垒奇高、半导体工艺整合难度大、整体差距很难短期缩小的局面。因此，在后摩尔时代，如何通过底层芯片新材料的创新推动下一代高性能芯片的高端制造，是未来20~30年最有挑战性的全局性问题之一。

与此同时，整个芯片领域已经持续在学界和业界布局下一代半导体材料、新型半导体器件、新一代半导体工艺和制造技术的研究，以求在后摩尔时代能够占得技术引领和产业升级的先机。工业级半导体器件的应用往往起源于对半导体材料和半导体器件的基础研究和前瞻性应用，例如1947年贝尔实验室发明的晶体管通过芯片制造工艺和架构的持续迭代引领了摩尔时代超过半个世纪的高速发展，1999年英伟达公司引领的图形处理单元（GPU）在先进制造的基础上通过架构创新和生态搭建推动了当前爆发式人工智能时代的来临。回到当下，我国在后摩尔芯片基础研究和前沿应用探索方面已有众多成果，进一步强化基础研究深度，并适时推动应用研究和产业化推广是保持该领域优势的战略关键所在。但是由于芯片行业的长产业链和长期技术迭代形成的封闭特性，很大一部分科研界关注的芯片新材料、新器件和新工艺的研究立足于最终取代硅基半导体，而产业界对于新技术的引入又极为谨慎，造成较为严重的产学研脱节现象。在硅基半导体仍然具有10~20年技术升级的空间，当前基础芯片新材料和新器件研究对直接推动芯片行业的实质性发展尚有一定难度。为此，我国如何依托现有半导体材料和制造产业基础，有中生优，通过跨代升级发展基础原材料和先进节点技术承接下游产业需求，重点融会贯通以半导体材料和先进工艺装备为代表的电子信息材料上中游产业链； 更进一步，如何瞄准全球电子信息产业发展的高线，无中生有，战略布局前沿电子信息材料和制造技术研究，融会贯通产学研的力量，打通从Lab到Fab的通路，提前25年为我国电子信息产业的发展谋篇蓄力是本丛书编撰的主要动因。

经过与国内众多高等院校、中科院众多相关研究所、信息领域国家重点企业和行业龙头企业等走访交流，更是坚定了编委会推动本丛书的编纂与出版。本丛书的立意也得到了清华大学相关单位的大力支持，经过清华大学出版社推荐，国家新闻出版总署审定，本丛书入选了“十四五”国家重点出版物出版规划。本丛书主编团队也凝聚了十余位行业各领域知名院士专家学者作为顾问，凝练丛书立意，优选丛书方向，汇聚行业专家，精心筛选内容，把关细节版式，力争把本丛书作为推动我国后摩尔芯片产学研深度链条融合、技术开放创新、人才培育拔高的代表性出版物。在主编团队的不懈努力和通力协作下，通过凝聚顶尖高校、知名院所、龙头企业等60余位知名专家作为编委的集体智慧，囊括基础新材料、新型器件、新制造工艺和装备、检测分析技术、特种芯片应用、前沿芯片探索等领域，在清华大学出版社的支持下共同推出本丛书！丛书将力图较为系统地梳理下一代芯片中的新材料—新器件—新工艺—新集成—新制造的核心研究成效和关键技术进展，为学界和业界的科研人员、青年学生和学者、技术管理人员和政策制定人员等提供系统的行业发展全景读物，并力图从底层技术脉络出发，重新梳理行业中的重点、难点和趋势，期冀丛书能在一定程度上推动我国芯片研究人才和产业人才的培育，并带动我国芯片行业高质量可持续发展，为21世纪中叶我国全面建成社会主义现代化强国而贡献芯片创新力量。

清华大学教授中国工程院院士周济

2024年10月于清华园

前言

玻璃兼具高模量、高硬度、低热膨胀、低介电常数、高稳定性、低吸湿率及优异的光学特性等诸多优点，成为光电器件、微机电系统（microelectro mechanical systems,MEMS）、传感器、射频器件以及高密度封装基板的理想材料。

玻璃通孔技术的研究起步很早。早在20世纪80年代，科学家就开始研究利用激光诱导方式在玻璃上制备微孔，为如今玻璃通孔的工业化奠定了基础。20年前，中央处理器（central processing unit,CPU）、现场可编程逻辑门阵列（field programmable gate array,FPGA）等芯片的2.5D先进封装需求推动了硅通孔中介层转接板的研发，作为低成本替代方案，科研人员开启了玻璃通孔中介层技术的研发工作。同时，基于玻璃优异的电学特性，玻璃衬底的集成无源器件研究也不断取得进展。近年来，人工智能（AI）的兴起推动全球算力需求激增，封装尺寸持续增大，有机基板的翘曲问题和布线密度不足成为瓶颈。以英特尔（Intel）公司为代表的国际巨头认为，玻璃基板有望成为下一代大尺寸基板，这推动了玻璃通孔技术的快速发展。

目前，玻璃基板正处于全球产业应用大爆发的前夜，我国的相关技术积累与国外基本处于同一起跑线。开展玻璃基板技术的原创性研究及快速应用，抢占先进封装核心技术制高点，对于支撑国家AI战略、保障信息安全及推动我国集成电路（intergrated circuit,IC）产业实现跨越式发展等方面，都具有极其重要的意义。

2010年，我回国到中国科学院微电子研究所工作，得到了中国科学院“百人计划”项目的支持，当时项目的立项名称是“硅/玻璃通孔三维互连技术研究”，这也确立了我此后的科研和产业化方向。在硅通孔互连技术方面，我联合国内企业协同攻关，之后参与建设了华进半导体封装先导技术研发中心有限公司。而在玻璃通孔技术方面，我们在如何加工高密度通孔上经历了很长时间的摸索：最初采用激光烧蚀法，而后研究干法刻蚀，接着尝试用光敏玻璃进行加工，但这些方法无一例外都因成本、精度等问题而搁浅。2014年，德国乐普科公司在国际电子元件与技术会议（ECTC）上介绍了激光诱导技术，该技术具有高速、高精度、低成本的优势，但相关设备价格昂贵。大约在2015年，我们开始开展针对玻璃基的无源器件研究。

2019年，基于对玻璃通孔产业发展的良好前景和过去多年的研发基础，我们创立了厦门云天半导体科技有限公司，瞄准国外公司的激光诱导技术方向，与国内领先的激光装备企业开展合作开发，历经四年，国产装备取得了技术突破。也是在2019年，我在厦门大学申请的国家自然科学基金项目“基于激光诱导变性通孔制造和化镀铜种子层填充的玻璃转接板技术研究”获得立项，由此开启了相关基础研究工作。

在玻璃基集成无源器件技术研究方面，我们从6in（1in=2.54cm）开始研究，后来建立了8in产线，直至2024年年底，三维集成无源器件进入量产阶段。从2010年启动玻璃通孔技术研究至今，15年过去了。我们从单项工艺的研究探索，到创办企业进行重资产投资开发，完成了复杂工艺集成，推动了核心装备国产化进程，最终制造出高可靠、高性能的器件，并在重要终端产品中实现规模量产交付。其间涉及100多步工艺，薄膜控制精度接近1nm级别，单个圆片制造70多万个通孔，克服的困难和挑战难以想象。经过多年来坚持玻璃通孔技术的研究，终于达成量产这一重要的里程碑。

2021年出版《硅通孔三维封装》一书后，我便萌生了编写玻璃通孔技术专著的想法，旨在总结过去十几年相关研究的成果，为当年“百人计划”项目画上一个句号，让更多的科研人员能够迅速了解相关技术的进展。经过近年的准备，在各位合作者的共同努力下，本书终于得以出版。本书系统总结了玻璃通孔领域的最新研究成果和进展，涵盖了多个方面的前瞻性研究动态及成果，旨在帮助相关科研人员全面了解该技术的进展，促进技术的不断创新和产业发展。

由衷感谢本书的各位撰写者，感谢大家的辛勤付出和智慧贡献，他们是厦门大学于大全、钟毅、黎科、王曼玉、高晗、颜婉怡，江南大学喻甜，北京工业大学赵瑾，上海交通大学陈沛欣，北京芯力技术创新中心有限公司李威，湖北戈碧迦光电科技股份有限公司张珂，北京恒仁致信咨询有限公司未来半导体齐道长，厦门云天半导体科技有限公司于宸。各章节的撰写人分别为： 第1章由于大全、喻甜、齐道长撰写； 第2章由钟毅、张珂撰写； 第3章由喻甜撰写； 第4章由于宸、喻甜撰写； 第5章由黎科、陈沛欣撰写； 第6~8章由赵瑾撰写； 第9章由李威、喻甜撰写； 第10章由王曼玉撰写； 第11章由喻甜撰写； 第12章由高晗、颜婉怡、钟毅撰写。全书由于大全、钟毅和喻甜修订，并邀请清华大学王谦研究员和北京工业大学田英良教授审稿。在本书撰写过程中，厦门大学电子科学与技术学院教授张淼、张丹，副教授窦宇航，助理教授林伟毅、许荣彬，科研助理梁冬雪和博士研究生周庆、陈新、孙鹏，在编辑、排版、文献调研等方面给予了大力支持和帮助，在此向他们表达衷心感谢。

从事玻璃通孔技术研究的这15年里，感谢中国科学院微电子研究所、厦门大学、厦门云天半导体科技有限公司、广东大族半导体装备科技有限公司、北方华创科技集团股份有限公司、肖特玻璃科技（苏州）有限公司、华工激光科技有限公司、上海芯波电子科技有限公司、南京国博电子股份有限公司及各终端公司的大力支持和帮助。感谢过去一起开展玻璃通孔技术研发的伙伴、朋友和学生。当前，玻璃通孔技术的研究正处于快速发展阶段，很多核心关键难题尚待解决，技术也在不断迭代，同时还有许多应用场景在持续开拓中。相信在不远的将来，玻璃通孔技术一定会大放异彩，成为半导体产业，特别是异构集成封装中一颗耀眼的明珠。

最后，谨以此书向坚持创新的半导体同行，特别是坚守玻璃通孔技术研发的同行者致敬。

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于大全
2025年7月

目录

第1章绪论

1.1半导体技术发展现状

1.1.1技术演进： 从晶体管到纳米时代

1.1.2人工智能的兴起与半导体产业的变革

1.2先进封装技术发展

1.2.1封装的技术演进

1.2.2先进封装的前沿技术

1.2.3人工智能对封装技术的要求

1.3玻璃通孔技术和玻璃基板技术的发展

参考文献

第2章玻璃的制造与特性

2.1引言

2.2玻璃的历史演变

2.3玻璃的结构

2.4传统玻璃制造和加工工艺

2.5面向芯片集成的先进玻璃技术

2.5.1晶圆级玻璃

2.5.2微晶玻璃

2.5.3新型陶瓷玻璃

2.6玻璃的典型特性及集成电路领域应用

2.6.1玻璃的机械特性应用

2.6.2玻璃的电学特性应用

2.6.3玻璃的光学特性应用

2.6.4玻璃的其他特性与总结

参考文献

第3章玻璃的电学特性

3.1玻璃基板传输性能研究

3.1.1玻璃衬底测试结构设计

3.1.2微波传输线设计

3.1.3TGV测试结构设计

3.1.4测试结果分析

3.2熔融石英玻璃衬底接地共面波导性能测试

3.3本章小结

参考文献

第4章玻璃通孔加工技术

4.1玻璃钻孔工艺研究现状

4.2激光诱导刻蚀法

4.2.1超快激光诱导刻蚀技术相互作用机理

4.2.2激光参数对玻璃通孔孔型的影响

4.2.3湿法刻蚀原理及作用规律

参考文献

第5章玻璃通孔填充技术

5.1电镀铜填充技术

5.1.1铜种子层沉积方法

5.1.2TGV电镀填充方法与机理

5.1.3TGV电镀配方研究进展

5.2导电浆料填充技术

参考文献

第6章玻璃表面布线技术

6.1表面布线技术

6.1.1半加成法加工工艺

6.1.2大马士革加工工艺

6.2高密度桥连技术

6.2.1桥连基本结构及工艺

6.2.2桥连技术的发展应用

6.3RDL制程误差对传输特性的影响

6.3.1RDL宽度对传输线特性的影响

6.3.2RDL厚度对传输线特性的影响

6.3.3RDL粗糙度对传输线特性的影响

6.4本章小结

参考文献

第7章玻璃基板技术

7.1玻璃基板结构及工艺

7.2玻璃基板的热机械可靠性

7.2.1玻璃芯断裂

7.2.2玻璃芯开裂的优化研究

7.2.3TGV间相互作用对可靠性的影响

7.2.4板级和晶圆封装级玻璃基板可靠性

7.3TGV的热机械可靠性

7.3.1TGV可靠性测试

7.3.2TGV中的铜线故障

7.3.3铜的非线性特性

7.3.4TGV有限元分析

7.4本章小结

参考文献

第8章玻璃转接板技术

8.1TGV转接板的结构与特点

8.2TGV转接板技术发展与应用

8.3TGV转接板电性能分析

8.3.1TGV的传输特性研究

8.3.2TGV的信号完整性研究

8.3.3TGV的电源完整性研究

8.4TGV转接板封装流程

8.4.1玻璃成孔及填实工艺

8.4.2RDL堆叠制程

8.4.3塑封及减薄制程

8.4.4铜柱制程

8.4.5后道制程

8.5本章小结

参考文献

第9章玻璃基板埋入扇出技术

9.1制造流程

9.1.1盲槽及通槽制作

9.1.2芯片准备

9.1.3芯片埋入及RDL制作

9.1.4散热器贴装

9.2关键技术

9.2.1盲槽底面平整化

9.2.23D金属化互连技术

9.3热可靠性分析

9.3.1电热耦合模型分析

9.3.2玻璃基热传导分析

9.3.3LC滤波器散热分析

9.4本章小结

参考文献

第10章玻璃衬底集成无源器件技术

10.1引言

10.2三维深沟去耦电容研究

10.2.1高密度深沟电容去耦电容设计原理

10.2.2深沟电容去嵌设计与寄生参数提取方法

10.2.3高电容密度深沟电容的加工工艺与测试结果分析

10.3高性能3D电感研究

10.3.1引言

10.3.2基于通孔的高深宽比TGV 3D电感设计

10.3.3基于通孔的3D电感制造工艺研究

10.3.4测试结果分析

10.3.5小结

10.4基于优化结构的低插入损耗集成无源滤波器设计

10.4.1滤波器概述

10.4.2无源滤波器设计

10.4.3工艺流程

10.4.4测试结果

10.4.5小结

参考文献

第11章玻璃基毫米波集成无源器件技术

11.1引言

11.2基片集成等离激元波导滤波器

11.3准椭圆函数响应基片集成波导滤波器

11.3.1基于TE202和TE401模式的四阶带通SIW滤波器

11.3.2基于TE101模和TE201模的微扰型双模SIW滤波器

11.4玻璃基封装天线

11.5本章小结

参考文献

第12章基于玻璃衬底的光电共封装技术

12.1引言

12.2光电共封装的发展现状

12.3基于玻璃转接板光电共封装的典型形式

12.3.12.5D封装

12.3.23D封装

12.4基于玻璃转接板光电共封装的技术

12.4.1玻璃波导制备技术

12.4.2飞秒激光波玻璃导

12.4.3离子交换玻璃波导

12.4.4光耦合技术

12.5本章小结

参考文献