硅基纳米光电子技术是纳米半导体技术和半导体光电子技术领域中的一个新学科分支，旨在研究各种硅基纳米材料的制备方法、结构特性、光电性质、器件应用以及光电子集成等。作者结合自己的工作，对上述内容进行了介绍与评论。全书共分两部分：第一章至第六章主要介绍了硅基纳米薄膜、硅纳米线和硅基光子晶体等硅基纳米结构的制备方法与发光特性；第七章至第十章着重介绍了硅基光发射器件、硅基光波导器件和硅基光接收器件等硅基光电子器件的制作与集成。本书可供从事纳米半导体薄膜材料与纳米光电子器件研究的科技工作者参考，也可供高等院校电子科学与技术专业的教师、研究生和本科生阅读。

绪论<br>参考文献<br>第一章  Si基纳米材料的结构性质<br>1.1  Si基纳米材料的结构类型<br>1.1.1  镶嵌在Si0x膜层中的nc-Si<br>1.1.2  nc-Si／Si02超晶格<br>1.1.3  Si或Ge纳米量子点<br>1.1.4  Ge／Si量子点异质结<br>1.1.5  Ge／Si纳米量子线与量子环<br>1.1.6  超小结构尺寸的si纳米团簇<br>1.1.7  掺稀土元素Er的nc—Si：Er3十／Si02薄膜<br>1.2  半导体量子点的电子结构<br>1.2.1  箱形量子点<br>1.2.2  球形量子点<br>1.2.3  Ⅱ型量子点<br>1.3  各种Si基纳米结构的电子性质<br>1.3.1  晶体Si的能带结构<br>1.3.2  Si纳米晶粒<br>1.3.3  超小尺寸Si纳米团簇<br>1.3.4  Si02／Si薄层及其超晶格结构<br>1.3.5  Ge／Si量子点及其多层异质结构<br>参考文献<br>第二章  Si基纳米薄膜的制备方法<br>2.1  等离子体化学气相沉积<br>2.1.1  高H2稀释SiH的PECVD生长<br>2.1.2  nc—Si的PECVD生长与后退火处理<br>2.2  低压化学气相沉积<br>2.2.1  Si—OH终端Si02表面上Si纳米量子点

    第一章  Si基纳米材料的结构性质<br>    Si基纳米材料一般是指结构尺寸至少在一个维度上为几个纳米的Si纳米量子点、Si纳米团簇，镶嵌在Si0x（x<2）或a—Si膜层中的纳米晶Si（nc—Si）、nc_Si／Si02超晶格以及Ge／Si多层量子点异质结等。这些纳米材料的结构性质，如晶粒尺寸的大小、密度分布的均匀性、组成超晶格和异质结的薄层厚度和界面特性、与氧相关的缺陷和电子性质等，都将对其发光特性产生重要影响。了解这些Si基纳米材料的结构形态与电子性质，可以使我们进一步加深对其发光特性与发光机制的认识与理解。本章首先介绍Si基纳米材料的结构类型，然后侧重介绍半导体量子点的电子结构和几种主要Si基纳米结构的电子性质。<br>    1.1 Si基纳米材料的结构类型<br>    按照对载流子的量子限制作用，Si基纳米材料可分为具有一维量子限制的nc—Si／Si0x超晶格，具有二维量子限制的Ge／Si量子线，具有三维量子限制的Si或Ge纳米晶粒，Si纳米量子点（Si—QD）以及Ge／Si量子点异质结等。