《有机半导体异质结导论》以作者研究小组近年来主要研究工作为主线，分6章介绍高有序有机半导体薄膜与异质结的制备原理的方未能、有机异质结界面电子结构与电输驼，以及有机异质结在薄膜电子器件中的应用。
　　《有机半导体异质结导论》可供从事半导体材料化学、物理及器件方面的研究工作者、教师和研究生阅读。

序
前言
第1章　有机薄膜电子器件中的异质结构
1.1　有机发光二极管
1.2　有机双极晶体管
1.3　有机光伏电池
1.4　薄膜晶体管特性参数简介
参考文献

第2章　弱取向外延生长有机半导体薄膜
2.1　真空沉积法制备有机超薄膜
2.1.1　有机分子束外延薄膜
2.1.2　有机分子气相沉积薄膜
2.1.3　有机分子取向外延薄膜
2.1.4　动力学和热力学控制的有机分子气相沉积薄膜

2.2　棒状和扭曲有机分子的气相沉积薄膜
2.2.1　并五苯气相沉积膜
2.2.2　六噻吩气相沉积膜
2.2.3　三环扭曲液晶分子m-OSB气相沉积膜
2.2.4　六联苯气相沉积膜

2.3　六联苯异质外延盘状有机分子气相沉积膜
2.3.1　六联苯与平面盘状金属酞菁
2.3.2　六联苯与非平面盘状酞菁

2.4　盘状分子的异型异质外延
2.4.1　弱取向外延HzPc薄膜的稳定性
2.4.2　动力学因素控制的弱取向外延H2Pc薄膜
2.4.3　H2Pc薄膜相表面异质外延生长F16CuPc薄膜
2.5　展望
参考文献

第3章　有机半导体异质结的界面电子结构
3.1　双极型有机晶体管与有机异质结构
3.2　CuPc/F16CuPc异质结效应
3.2.1　CuPc/F16CuPc异质结晶体管的常开工作模式
3.2.2　CuPc/F16CuPc异质结高电导现象的组合实验证明
3.2.3　CuPc/F16CuPc异质结界面处电荷累积
3.2.4　CHPc/F16CuPc异质结的反向整流现象
3.2.5　CuPc/16CuPc异质结中的载流子累积厚度
3.2.6　CuPc/F16CuPc异质结界面电子结构的UPS直接测量
3.2.7　UPS测量结果的分歧

3.3　Anderson定则与CuPc/F16CuPc异质结界面电子结构的修正
3.3.1　Anderson定则
3.3.2　CuPc/F16CuPc异质结界面电子结构的修正

3.4　有机和无机半导体异质结
3.4.1　有机累积型异质结和无机耗尽型异质

　　第1章  有机薄膜电子器件中的异质结构
　　1.1　有机发光二极管
　　1987年，美国柯达公司的邓青云博士（Dn C.w.Tang）等首先报道了采用双层有机薄膜的有机发光二极管…。在2.5 V的低电压下能够观察到有机发光二极管发光，其在10 V下亮度达到1000 ccUm2。有机发光二极管的工作机理采用载流子分立传输的模型（图1.1），空穴传输层（hole transport layer，HTL）等效于P型半导体，电子传输层（electron transport layer，ETL）等效于n型半导体，电子和空穴在外电压作用下分别从阴极A9和阳极ITO（indium tin oxide，铟锡氧化物）注入到电子传输层和空穴传输层并在其中分立传输，最终它们在异质结构界面附近的Alq3[三（8-羟基喹啉）铝]层中复合发光。