本书是集成电路设计领域相关专业入门教材，主要介绍与集成电路设计相关的基础知识与基本经验。全书共分为10章，以集成电路设计基础理论、方法、流程和工程经验为中心，兼顾介绍与设计紧密相关的材料、结构、工艺，以及与产品化密切相关的封装测试和设计加固等内容。教材不仅注重集成电路设计基础理论，例如SPICE模型与运用，而且更加关注集成电路工程化设计转化经验讲授，例如ESD设计防护，以期助力读者在入门集成电路设计之后，能够快速完成从基础入门到工程实践的角色转换。
本书可作为高等院校本科生、研究生教材或参考书，高职高专院校也可以精简选用本教材部分内容。

第1章 集成电路设计概述
1.1 集成电路发展历程
1.2 集成电路发展特征
1.2.1 集成电路技术发展特征
1.2.2 集成电路产业发展特征
1.3 集成电路设计与制造流程
1.3.1 集成电路设计流程
1.3.2 集成电路制造流程
1.3.3 集成电路技术水平主要评价指标
1.4 集成电路设计相关专业知识
1.5 集成电路设计学习相关问答
1.5.1 集成电路设计主要学习什么
1.5.2 跨专业转行学集成电路设计可行性
1.6 不同集成电路设计方法区别与关联
1.6.1 “自顶向下”与“自底向上”设计方法
1.6.2 FPGA设计与ASIC设计区别
1.7 集成电路设计常用软件简介
习题与思考题
参考文献
第2章 集成电路材料与工艺
2.1 集成电路基本材料
2.1.1 金属材料
2.1.2 绝缘体材料
2.1.3 半导体材料
2.2 集成电路制造工艺
2.2.1 硅片制造准备
2.2.2 晶圆生产加工
2.2.3 晶圆裸片测试
2.2.4 晶圆划片封装与产品终测
2.3 集成电路器件工艺
2.3.1 双极型工艺
2.3.2 MOS工艺
2.3.3 BiCMOS工艺
习题与思考题
参考文献
第3章 MOSFET特性回顾与进阶
3.1 MOSFET概述
3.1.1 MOSFET类型
3.1.2 MOSFET符号
3.1.3 MOSFET结构
3.1.4 MOSFET几何参数
3.2 MOSFET阈值电压
3.3 MOSFET伏安特性
3.3.1 NMOS管伏安特性
3.3.2 PMOS管伏安特性
3.4 MOSFET温度特性
3.5 MOSFET噪声特性
3.6 MOSFET高阶效应
3.6.1 衬底偏置效应
3.6.2 沟道调制效应
3.6.3 亚阈值效应
3.7 MOSFET尺寸按比例缩小
……
第4章 SPICE语法与仿真基础
第5章 HSPICE电路设计与仿真
第6章 模拟集成电路基本单元
第7章 数字集成电路基本单元
第8章 版图设计与物理验证
第9章 封装测试与设计加固
第10章 模拟集成电路设计方法与实例